เมื่อเทียบกับพื้นผิวสะท้อนกลับภูมิประเทศอิเล็กตรอนนอกจาก ALN แตกต่างกันเราสามารถพบว่าทั้งสองของ W-Cu และ W-Cu / ALN วัสดุคอมโพสิตที่มีความหนาแน่นสูงจุลภาคและสม่ำเสมอ มีจำนวนเล็ก ๆ ของอนุภาคขนาดใหญ่บนพื้นผิววัสดุทองแดงทังสเตนหลังจากกดร้อนเผาซึ่งมีสาเหตุมาจากการเติบโตของการเชื่อมต่อ W-W ด้วยจำนวนที่เพิ่มขึ้นของ ALN ก็น่าจะช่วยลดการติดต่อ W-W และส่งเสริมอนุภาคเผายังคงได้รับการขัดเกลา แต่เมื่อปริมาณของนาโน ALN เพิ่มในระดับหนึ่งวัสดุคอมโพสิตที่ปรากฏอยู่ในสระว่ายน้ำทองแดงและรูขุมขนมากขึ้น เหตุผลหลักคือการที่อนุภาคมี ALN เปียกไม่ดีกับลูกบาศ์กที่อุณหภูมิสูงซึ่งขัดขวางการไหลของของเหลวทองแดงและสาเหตุของการแยกจากกันและความหนาแน่นลดลง

นอกจากนี้เนื่องจากการรวมตัวกันและการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวหลังการเผา ALN ยังเป็นขนาดใหญ่ในขนาดของเมล็ดข้าว อนุภาค ALN มีกระจายอยู่ในขั้นตอนการ Cu เพราะอนุภาค ALN มีการเพิ่มในระยะเวลาอันสั้นผสมลูกกัดซึ่งไม่สะท้อนกับอินเตอร์เฟซที่เป็นของแข็ง W หรือลูกบาศ์กเมทริกซ์และ ALN มีเสถียรภาพที่ดีดังนั้นหลังจากการกดร้อนเผา ก็ยังดีที่จะรักษาธรรมชาติของอนุภาคตัวเอง

ภาพสินค้าทังสเตนทองแดง ทังสเตนภาพอิเล็กโทรดทองแดง

feendback ใด ๆ หรือสอบถามรายละเอียดเพิ่มเติมของทังสเตนผลิตภัณฑ์โลหะผสมทองแดงโปรดอย่าลังเลที่จะติดต่อเรา:
Email: sales@chinatungsten.com
Tel.: +86 592 512 9696 ; +86 592 512 9595
Fax.: +86 592 512 9797

More Info： ทังสเตน ทองแดง Tungsten Copper Alloy