Selain heat sinking tradisional dalam kemasan mikroelektronik dies, aplikasi yang lebih menuntut muncul untuk komposit metal-matrix tembaga / tungsten (WCu) (MMC) sebagai tunggangan dan submount untuk dioda laser semikonduktor. Saat ini, sebagian besar dioda laser semikonduktor dipasang pada mount atau submount yang terbuat dari WCu. Perluasan ekspansi termal yang lebih baik antara heat sink dan die, ditambah dengan tren meningkatnya ukuran die dan persyaratan disipasi daya, telah membuat WCu bahan pilihan untuk dioda laser kemasan. Hal ini terutama berlaku untuk die lebih besar dari 1000 μm ke segala arah. Tembaga / tungsten menyediakan disipasi termal yang dibutuhkan dan cocok untuk ekspansi panas yang baik. Beberapa dioda laser dipasang secara langsung pada tembaga dengan kemurnian tinggi oksigen bebas, pada substrat keramik berilina atau aluminium nitrida, atau bahkan pada substrat berlian.

Mayoritas dioda laser semikonduktor daya yang diproduksi untuk panjang gelombang pada kisaran 800 sampai 1550 nm telah diuntungkan dari peningkatan kinerja bak pendingin panas WCu yang baru. Aplikasi meliputi jaringan komunikasi medis, ilmiah, dan berbasis serat optik, antara lain.

Tembaga tungsten gunung Changing Conventions

Basis pendingin tungsten tembaga konvensional memberikan konduktivitas termal antara 170 dan 220 W / mK dan koefisien ekspansi termal yang dikurangi yang sesuai dengan semikonduktor untuk manufaktur dioda (5,6-9,0 ppm / ° C). Laser die biasanya dibangun di atas substrat galium arsenida (GaAs) menggunakan proses seperti epitaksi balok molekul atau deposisi uap kimia organik-logam. Komposisi kimia akhir dapat meliputi indium gallium arsenide (InGaAs), indium aluminum gallium arsenide (InAlGaAs), arsenide gallium arsenide (AlGaAs), indium gallium arsenide phosphide (InGaAsP), atau indium gallium phosphide (InGaP). Baru-baru ini, indium gallium nitride (InGaN) laser telah diproduksi di substrat safir menggunakan lapisan GaN epitaxially lateral yang ditumbuhi untuk mencocokkan energi kisi antara safir dan semikonduktor.

Tungsten tembaga gunung yang berbeda dimodelkan dengan menggunakan teknik solusi batas batas terbatas. Kinerja dibandingkan dengan menggunakan material 160-W / mK WCu sebagai dasar dan tembaga dengan kemurnian tinggi (konduktivitas termal = 398 W / mK) untuk kinerja top-end. Berdasarkan pengurangan ketahanan termal, peningkatan 19,1% diperoleh untuk bahan 200-W / mK. Bahan berkapasitas 320-W / mK berkapasitas fungsional sekitar 47,54% lebih baik, dengan material top-end memberikan peningkatan 56,88% dari standar. Penurunan suhu junction yang sesuai juga ditunjukkan.

Perkembangan teknis menggunakan bahan bergradasi fungsional (FGMs) mendorong kinerja amplop tembaga / tungsten ke tingkat konduktivitas termal sekitar 320 W / mK. Tingkat kinerja ini sebanding dengan kinerja termal yang disediakan oleh tembaga. Solusi pengelolaan panas ini dilakukan dengan menggunakan bahan umum dan mudah tersedia seperti tembaga dan tungsten.

Setiap umpan balik atau pertanyaan dari Produk Paduan Tembaga Tungsten jangan ragu untuk menghubungi kami:
Email: sales@chinatungsten.com
Tel.: +86 592 512 9696 ; +86 592 512 9595
Fax.: +86 592 512 9797

Info lebih lanjut： Tembaga tungsten Paduan tembaga tungsten