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텅스텐 구리의 적용

1. 고온 재료 용 텅스텐 구리

텅스텐 구리 합금 소재는 1960 년대 고온에 강한 내성을 지니고 있기 때문에 미국은 레일 건, 로켓 미사일 노즐 인후 삽입구 및 가스 방향타 및 기타 고온 적용 분야에 사용되는 소재에이 기능을 활용하기 시작했습니다 부분품. 그 응용 원리는 금속의 텅스텐 (> 3400 ° C)의 텅스텐 구리 합금 재료가 구리의 증발 때문에 가스 흡열 온도가 구리 흡열보다 크거나 높을 때 구리 성분의 표면 온도를 크게 낮추었을 때 일반적으로 텅스텐은 고온 환경을 견딜 수 없습니다. 군사 및 국방 분야에서 텅스텐 구리 재료의 새로운 용도가 개발됨에 따라 고온 텅스텐 구리 재료의 적용이 크게 증가했습니다. 텅스텐 구리 소재는 특히 고온 강도 및 고온 가스 절삭 성능에서 재료 특성에 대한 높은 요구 사항을 제시하는 하이테크 및 군사 방어로서 높은 신뢰성을 가져야합니다.
텅스텐 구리 합금은 미사일, 로켓 엔진 노즐 베인 공기 러더, 노우즈 콘으로 사용되며 주요 요구 사항은 주로 고온에서 구리를 사용하여 고온 공기 흐름 플러싱 용량 (3000K ~ 5000K)을 요구하는 것입니다. 휘발성 물질 (구리 용융점 1083 ° C) 형성, 구리 텅스텐의 표면 온도를 낮추기 위해 고온 및 극한 조건에서 사용하십시오.

2 고압 배전반 용 텅스텐 동합금

텅스텐 구리 합금 고전압 스위치 기어 128kV SF6 회로 차단기 WCu / CuCr뿐만 아니라 고전압 진공로드 스위치 (12kV 40.5KV 1000A), 피뢰기 널리 사용되는 고전압 진공 스위치의 작은 볼륨, 쉽게 인화성, 폭발성 및 부식성 환경에서 광범위한 범위를 유지하고 사용하십시오. 주요 성능 요구 사항은 내식성, 용접 방지, 작은 컷오프 전류, 적은 가스, 낮은 열 전자 방출 능력입니다. 기존의 거시 경제적 성능 요구 사항, 다공성 및 미세 구조 요구 사항에 추가하여 특수 처리, 진공 탈기, 진공 침투 공정의 필요성의 복잡성을 겪고 있습니다.
텅스텐 구리 합금 재료는 진공 스위치 전기의 고전압 전기 스위치 전기 접점과 같이 텅스텐 구리 제품에서 널리 사용되어 많은 부분을 차지합니다. 그리고 텅스텐 구리 소재는 우수한 전도성과 내식성에 대한 저항성을 갖기 때문에 지금은 인터럽터 미디어 용 SF의 새로운 고전압 전기 스위치에 사용됩니다. 같은 시간에, 1980 년대, 그리고 다른 새로 개발 된 진공 스위치 텅스텐 구리 소재와 넓은 폭이 3jkV에서 널리 사용되는 것보다, 고전압 전기기구, 진공 전기 스위치 작은 크기, 좋은 성능이 지배적으로되었다 (6 ~ 35 kV) 고압 그리드 및 철도 스위치의 전기화, 운전하기 쉽고, 수명이 길며 가연성, 폭발성, 고산성, 습기 및 부식성 환경의 우수한 특성에 적응해야합니다. 진공 구리 텅스텐 접촉 재료는 기존 전기 접점에서 요구되는 성능 외에도 특수 요구 사항은 매우 낮은 가스 함유량 요건을 가진 진공 응용 재료와 일치해야하며 고온 또는 진공 탈기, 진공과 같은 특수 기술의 사용이 필요합니다 용융 침투가 준비되었다.

3. 전기 가공 전극

초기 채택자인 구리 또는 흑연 전극 인 EDM 전극은 값이 쌌지만 조바심이 없으므로 기본적으로 텅스텐 구리 전극을 대체합니다. 텅스텐 구리 전극은 고온, 고온 및 고강도, 아크 내식성, 열전도 특성이 우수하므로 신속하게 가열됩니다. 응용 프로그램에는 EDM 전극, 저항 용접 전극 및 고전압 방전 전극이 포함됩니다.
전기 가공 전극은 ​​많은 양의 사양, 작은 배치, 총량 이상으로 특징 지어집니다. 구리 및 구리 합금의 가공 전극으로 일반적으로 사용되는 텅스텐 구리 합금으로 EDM 개발에있어 오랜 기간의 시작 단계에서 전기 가공 전극. 증가하는 정밀 몰드 및 부품의 사용이 어려운 소재의 사용이 증가하고 EDM 공정이 더욱 정교 해짐에 따라 EDM 전극 양이 증가함에 따라 텅스텐 구리 소재가 증가하고 있습니다. 텅스텐 구리 전기 가공 전극 재료는 가공 금형 및 부품의 정밀도를 향상시키고 전극 손실, 높은 가공 효율, 완료된 제품의 황삭 및 마무리까지도 향상시킵니다. EDM 전극은 많은 다른 사양과 작은 배치 총을 특징으로합니다. 선출 된 자

rical 가공 전극 텅스텐 구리 소재는 가능한 한 높은 밀도와 준비의 전통적인 방법을 사용하는 경우 조직의 균일 성, 특히 길쭉한 막대, 파이프 재료 및 프로파일 전극의 균일 성을 가지고 있어야합니다, 과정은 매우 복잡하고, 재료 사용률이 낮습니다. 4. 마이크로 전자 재료 용 텅스텐 구리 합금 텅스텐 저 팽창 특성을 갖는 구리 텅스텐 전자 패키지 및 히트 싱크 재료는 또한 높은 열 전도 특성을 갖는 구리를 가지며, 열팽창 계수 및 열 전도율은 도전 특성의 조정 텅스텐 및 구리 성분이 변경되고 따라서 텅스텐 및 구리가보다 광범위한 적용을 제공한다. 구리 텅스텐 재료는 높은 내열성 및 우수한 열 전도성을 가지며, 또한 실리콘, GaAs 및 세라믹과의 열 팽창 계수가 일치하므로 반도체 재료에 광범위하게 사용된다. 텅스텐 구리 합금은 고전력 소자 패키징 재료, 히트 싱크 재료, 냉각 부품, 세라믹 및 갈륨 아세 나이드베이스에 적합합니다. 전자 패키지 및 방열판은 높은 열 전도성을 갖는 텅스텐 - 구리 복합 재료 텅스텐 구리의 2 상 복합체와 함께 사용됩니다 낮은 열팽창 계수를 가지며 고출력 소자에서 우수한 방열판 재료로 간주됩니다. 최근 몇 년 동안 국내외에서 텅스텐 및 구리에 대한 많은 전문가와 학자가 열 싱크 재료로 사용되어 많은 연구가 이루어졌습니다. 이 연구는 주로 텅스텐 및 구리의 소결 밀도를 개선하기 위해 활성제를 첨가하도록 변형 된 분말을 포함합니다. 전자 장치의 고전력 및 대규모 집적 회로의 개발과 함께, 텅스텐 - 구리 복합 재료는 높은 내열성 및 우수한 열 전도성을 모두 가지기 때문에, 대응하는 재료 업그레이드의 제안 된 요구 조건 및 실리콘 시트, 갈륨 아세 나이드 및 세라믹 재료가 열팽창 계수와 일치하여 임베디드 블록, 연결 부재 및 방사 요소가 급속히 적용되어 이제는 중요한 새로운 전자 패키지 및 방열판 소재가되었습니다. 현재, 텅스텐 구리 상대 밀도는 99 이상, 고순도 분말 원료의 사용, 재료의 열전도율은 200W / (m • K)의 15Cu 속도입니다. 전자 패키징 및 히트 싱크 재료로서 텅스텐 구리 재료의 품질과 성능은 더 높은 요구 사항을 가지고 있으며 높은 순도와 균일 성을 갖추어야하며 누설 률이 낮고 열전도율이 좋으며 열팽창 계수가 작아야합니다. 생산 공정 및 제품 품질에 대한 엄격한 통제.