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텅스텐 구리 마이크로 전자 재료
텅스텐 갈고리 마이크로 전자 재료는 높은 전도성과 내열성을 가지고있어서 마이크로 전자의 힘을 현저하게 향상시킬 수 있습니다. 그것은 네트 크기 성형을 달성 할 수 있으며 소형화에 유리하다; W 및 Cu의 함량을 조정하여 성능을 변경할 수 있습니다. 열 피로 손상으로 인한 열 응력을 피하기 위해 고전력 소자 패키징 재료, 히트 싱크 재료, 열 부품, 세라믹 및 갈륨 비화물베이스 등에 적합합니다. 텅스텐 구리 열 싱크에서 사용할 수 있습니다 : 1.RF, 마이크로파 및 밀리미터 파; 2. 전원 포장; 3. 레이저 다이오드; 4. 복잡한 광전자 장치 슬라이드.
텅스텐 구리 히트 싱크의 주요 성능 :
학년 |
TC (W/m·k) |
CTE (10-6/K) |
밀도 (g/cm3) |
WCu |
140~210 |
5.6~8.3 |
15~17 |
WCu10 |
140~170 |
5.6~6.5 |
17.0 |
WCu15 |
160~190 |
6.3~7.3 |
16.4 |
WCu20 |
180~210 |
7.6~9.1 |
15.6 |
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