Lisäksi perinteisen lämpöä uppoaminen pakkaus mikroelektroniikan kuolee, vaativammissa sovelluksissa on tulossa kuparin / volframi (WCU) metalli-matriisi komposiitit (MMC), kuten kiinnikkeet ja Submount puolijohteiden laserdiodit. Tällä hetkellä suurin osa puolijohdelaserdiodeista on asennettu WCu: n muotoon tai alustaan. Parantunut lämpölaajenemisen ottelua jäähdytyslevy ja muotin, yhdessä nykyisen lisääntymässä kuolee koko ja teho-hajoamista vaatimukset, on tehnyt WCU materiaalin valinta pakkaamiseksi laserdiodit. Tämä pätee erityisesti suurempaan kuin 1 000 μm: n mihin tahansa suuntaan. Kupari / volframi tuottaa tarvittavan lämpöhäviön ja hyvän lämpölaajenemiskyvyn. Jotkut laserdiodit asennetaan suoraan happipitoiseen puhtaaseen kupariin, berylliini- tai alumiininitridikeraamiin tai jopa timanttisubstraattiin.

Suurin osa 800 - 1550 nm: n aallonpituuksilla valmistetuista tehopuolijohteiden laserdiodeista on hyötynyt uusien WCu-jäähdytysemästen parannetusta suorituskyvystä. Sovelluksiin kuuluu mm. Lääketieteellisiä, tieteellisiä ja kuituoptisia viestintäverkkoja.

Kupari volframikiinnikkeet Vaihtokonttorit

Tavanomaisia kupari volframi jäähdytyselementti emäksiä tarjota lämmönjohtavuus välillä 170 ja 220 W / mK ja vähentää lämpölaajenemiskerroin, joka vastaa puolijohde kuolee diodi valmistus (5,6-9,0 ppm / ° C). Laser-muotit on tyypillisesti rakennettu galliumarsenidi (GaAs) -alustoille käyttämällä prosesseja, kuten molekyylikaijapitsia tai metalli-orgaanista kemiallista höyryä. Lopullinen kemiallinen koostumus voi sisältää indiumgalliumarsenidi (InGaAs), indium alumiini galliumarsenidi (InAIGaAs), alumiini (AIGaAs), indium galliumarsenidifosfidi (InGaAsP), tai indium galliumfosfidi (InGaP). Äskettäin indiumgalliumnitridi (GaN) laserit on valmistettu safiirisubstraatille käyttämällä kerros epitaksiaalikasva- sivusuunnassa umpeen GaN vastaamaan hilan välinen energia safiiri ja puolijohde.

Erilaisia Volframi-kuparikiinnikkeitä mallinnettiin käyttämällä äärellistä raja-arvon ratkaisutekniikkaa. Suorituskykyä verrattiin käyttämällä 160 W / mK WCu -materiaalia perusviivana ja korkeapuhtaalla kuparilla (lämmönjohtavuus = 398 W / mK) huippuluokan suorituskyvylle. Lämpöresistanssin vähentämiseen perustuen 200-W / mK -materiaaliin saatiin parannus 19,1%. Functionally graded 320-W / mK -materiaali oli noin 47,54% parempi, ja huippupään materiaali tuotti 56,88%: n parannuksen verrattuna standardiin. Näytetään myös vastaava liitoksen lämpötilan väheneminen.

Tekninen kehitys käyttämällä funktionaalisesti luokiteltuja materiaaleja (FGM) työntää kuparin / volframin suorituskyvyn verhokäyrää lämmönjohtavuuteen noin 320 W / mK. Tämä suorituskyky on verrattavissa kuparin lämpötehoon. Näitä lämpöjohtoratkaisuja pyritään käyttämällä tavallisia, helposti saatavilla olevia materiaaleja, kuten kuparia ja volframia.

Volframin kupariseoksesta saatavaa palautetta tai kyselyä voi ottaa yhteyttä:
Sähköposti: sales@chinatungsten.com
Puh.: +86 592 512 9696 ; +86 592 512 9595
Faksi.: +86 592 512 9797

Lisätietoja： Volframikupari Volframi-kupariseos