钨铜电子封装基板
1. 什么是钨铜电子封装基板？
钨铜电子封装基板（Tungsten Copper Electronic Packaging Substrate）是用于电子器件封装的钨铜复合材料基板，可作为功率半导体、射频器件及光电器件的封装底板、热沉或热扩散部件，兼顾芯片承载、热量传导与热膨胀匹配。钨铜电子封装基板通常采用熔渗法制备，即先将钨粉压制烧结成多孔钨骨架，再将熔融铜渗入孔隙，形成致密复合材料。
2. 中钨智造钨铜电子封装基板的特点
（1）热膨胀系数可调：热膨胀系数可随钨铜比例调整，常见牌号的参考范围约为6×10⁻⁶至10×10⁻⁶/K，有助于降低芯片与封装材料之间的热应力。
（2）导热性能好：热导率可根据材料配比和制造工艺达到约170–260 W/(m·K)，兼顾芯片散热与热膨胀匹配。
（3）强度高：钨骨架具有较高的刚性和强度，适合对平面度、尺寸精度和温度循环可靠性有要求的封装结构。
（4）致密性好：高致密度有助于形成连续的导热通路，并满足部分气密性封装的材料要求；最终气密性仍取决于基板结构、连接工艺及检验结果。
（5）性能可按需设计：高钨含量牌号通常具有较低的热膨胀系数，高铜含量牌号通常具有较高的导热率和电导率，可根据芯片材料与散热要求进行选择。
3. 中钨智造钨铜电子封装基板的常见牌号
中钨智造钨铜电子封装基板的常见牌号如下图：
4. 中钨智造钨铜电子封装基板的应用
（1）功率半导体封装：用于氮化镓（Gallium Nitride，GaN）、碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件及绝缘栅双极型晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor，IGBT）模块的封装底板和热沉，兼顾散热与热膨胀匹配。
（2）射频与微波器件：用于第五代移动通信（5G）基站射频功率放大器、毫米波组件及雷达射频模块，满足高功率密度器件的散热和尺寸稳定性要求。
（3）激光与光通信器件：用于激光二极管、泵浦激光器及光通信模块的热沉和次基板，帮助快速导出热量，降低芯片与封装材料之间的热膨胀失配。
（4）新能源汽车功率模块：用于电动汽车驱动逆变器、车载电力电子设备及充电模块的热管理部件，适应高热负荷和温度循环环境。
（5）高可靠性电子封装：用于航空航天机载、星载电子设备及高可靠性微波组件的封装基板和热沉，满足严苛工作环境下的散热、结构稳定性及封装可靠性要求。
5. 中钨智造钨铜电子封装基板的规格
（1）常见材料：WCu10、WCu15、WCu20、WCu30等
（2）形状：方形、矩形及异形结构
（3）尺寸：长度、宽度、厚度按客户需求定制
（4）加工精度：尺寸公差、平面度、平行度及表面粗糙度可定制
（5）表面处理：镀镍、镀金等，按封装工艺定制
中钨智造（CTIA GROUP）深耕钨铜合金领域近30年，拥有丰富的粉末冶金和精密加工经验，可根据芯片材料、封装结构、热导率及热膨胀匹配要求，提供钨铜电子封装基板的材料选型、结构设计、尺寸定制和精密加工解决方案。
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